IR 新一代 Gen 7 F 器件采用击穿沟道式技术，能够为特定的工作频率提供更高功率密度，以及经过优化的传导和开关损耗。全新 IGBT 的 VCE(ON) 非常低，能通过零温度系数提升效率，使整个工作范围都能保持高效率。该器件还能实现顺畅开关，以减少电磁干扰与过冲，并且能在电机驱动应用中实现额定短路。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：&ldquoIR 全新的 600V Gen 7 F 沟道 IGBT 具有非常低的开关和传导损耗，为在 10kHz 以下工作的电机驱动应用进行了优化，从而实现最佳效率。&rdquo
全球功率半导体和管理方案领导厂商 &ndash 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 推出 600V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，适合在 10kHz 以下工作的电机驱动应用，包括冰箱和空调的压缩机。