IR 推出第八代 1200V IGBT 技术平台提供适合工业应用的基准效率和耐用性

2013/3/29　|　 10398次阅读　|　来源：http://www.irf.com.cn/irfsite/news/2012/352.asp　关键词：

IR 推出第八代 1200V IGBT 技术平台
提供适合工业应用的基准效率和耐用性

2012年11月16日

全球功率半导体和管理方案领导厂商 &ndash 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT 技术平台采用 IR 的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。

全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：&ldquo通过开发全新基准技术及顶尖的 IGBT 硅平台，彰显出 IR 在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境。&rdquo

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把 dv/dt 降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个 IGBT 之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到 175°C 的最高结温。

潘大伟补充道：&ldquo IR 的 Gen8 IGBT 平台旨在为工业应用提供卓越技术。该 IGBT 平台凭借高性能 Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能，使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。&rdquo

欲了解更多信息，请浏览 IR 网站 www.irf.com。

产品规格

IR 器件编号	VCES	I_{C (NOM)}	V_{CE(ON) (典型)}	封装
IRG8CH15K10F	1200V	10A	1.7	膜上裸片
IRG8CH20K10F		15A
IRG8CH29K10F		25A
IRG8CH38K10F		35A
IRG8CH42K10F		40A
IRG8CH50K10F		50A
IRG8CH76K10F		75A
IRG8CH97K10F		100A
IRG8CH137K10F		150A
IRG8CH182K10F		200A

产品供应
IR Gen8 1200V IGBT 平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (OEM) 及原始设计制造商 (ODM) 合作伙伴。

商标
IR^® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

IR 简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

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